IHW20N135R3 (H30R1353), Транзистор IGBT
Код товара: 006985
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) IHW20N135R3 H30R1353
Конфигурация:Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:1350 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.6 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:40 A
Непрерывный коллекторный ток при 100 C:20 A
Pd - рассеивание мощности:310 W
Рабочая температура:- 40 C...+ 175 C
Ток утечки затвор-эмиттер:100 nA
Корпус:TO-247-3
Конфигурация:Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:1350 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.6 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:40 A
Непрерывный коллекторный ток при 100 C:20 A
Pd - рассеивание мощности:310 W
Рабочая температура:- 40 C...+ 175 C
Ток утечки затвор-эмиттер:100 nA
Корпус:TO-247-3
| Не показывать на сайте: | Да |
| Тип товара: | Транзисторы IGBT |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | INFINEON(INF) |
| Корпус: | TO-247-3 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
