IHW30N120R2XKSA1 (H30R1202), Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:2 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A
Непрерывный коллекторный ток при 100 C: 30А
Pd - рассеивание мощности:390 W
Тепловое сопротивление IGBT переход-корпус RthJC 0,38K/Вт
Тепловое сопротивление диода переход-корпус RthJCD 0,37K/Вт
Термическое сопротивление переход-окружающая среда RthJA 40K/Вт
Входная емкость Ciss - 2589 пФ
Выходная емкость Coss - 77 пФ
Обратная передаточная емкость Crss - 62пФ
Заряд затвора QGate 198nC
Время задержки выключения t d(off) 792 нс
Время падения tf 33 нс
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:30 A
Рабочая температура:- 40 C,,,+ 150 C
Маркировка H30R1202
Корпус:TO-247-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | INFINEON(INF) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 60 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1200 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.