IHW30N160R2FKSA1 (H30R1602), Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Маркировка: H30R1602
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.35 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A
Pd - рассеивание мощности: 312 W
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Рабочая температура: - 40 C...+ 175 C
Корпус: TO-247-3
Другие названия товара №: IHW30N160R2 IHW30N160R2XK SP000273701
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | INFINEON(INF) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 60 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1350 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.