IKW30N60H3 (K30H603), Транзистор IGBT
Код товара: 068684
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKW30N60H3 (K30H603)
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A
Pd - рассеивание мощности: 187 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Корпус: TO-247-3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A
Pd - рассеивание мощности: 187 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Корпус: TO-247-3
| Тип товара: | Транзисторы IGBT |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | INFINEON(INF) |
| Корпус: | TO-247-3 |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
