IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202), Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.75 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:75 A
Непрерывный коллекторный ток при 100 C:40 A
Pd - рассеивание мощности:480 W
Ток утечки затвор-эмиттер:200 nA
Тепловое сопротивление IGBT переход-корпус RthJC 0,31K/Вт
Тепловое сопротивление диода переход-корпус RthJCD 0,53K/Вт
Термическое сопротивление переход-окружающая среда RthJA 40K/Вт
Входная емкость Ciss - 2360 пФ
Выходная емкость Coss - 230 пФ
Обратная передаточная емкость Crss - 125 пФ
Заряд затвора QGate 192nC
Время задержки включения 33 нс
Время задержки выключения t d(off) 314 нс
Время нарастания tr 28 нс
Время падения tf 94 нс
Рабочая температура:- 40 C,,,+ 150 C
Корпус: TO-247-3
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | INFINEON(INF) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 75 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1200 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.