IPB107N20N3GATMA1, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V
Id - непрерывный ток утечки T C=25 °C: 88 A
T C=100 °C 63A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 10.7 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Qg - заряд затвора: 65 nC
Pd - рассеивание мощности: 300 W
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 71 S
Время спада: 11 ns
Время нарастания: 26 ns
Типичное время задержки выключения: 41 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Рабочая температура: - 55 C ...+ 175 C
Корпус TO-263-3(D2PAK)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | INFINEON(INF) |
Корпус: | TO-263-3(D2PAK) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.