IPP16CN10LGXKSA1, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора:N-Channel
Количество каналов:1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:100 V
Id - непрерывный ток утечки:54 A
Vgs - напряжение затвор-исток:20 V
Pd - рассеивание мощности:100 W
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Время спада:4 ns
Время нарастания:8 ns
Типичное время задержки выключения:30 ns
Типичное время задержки при включении:11 ns
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии R DS(on) V GS=4.5 V, I D=27 A : 20,8 мОм
V GS=10 V, I D=54 A - 12.9 : 15.7 мОм
Входная емкость Ciss 3150...4190 пФ
Выходная емкость C oss 393...523 пФ
Рабочая температура:- 55 C...+ 175 C
Корпус:TO-220-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | INFINEON(INF) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 100 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.