IPP50R190CEXKSA1, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:500 V
Id - непрерывный ток утечки:24.8 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:170 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток:20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2.5 V
Qg - заряд затвора:47.2 nC
Pd - рассеивание мощности:152 W
Конфигурация:Single
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Время спада:7.5 ns
Время нарастания:8.5 ns
Типичное время задержки выключения:54 ns
Типичное время задержки при включении:9.5 ns
Рабочая температура:- 55 C...+ 150 C
Корпус:TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | INFINEON(INF) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 500 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.