IRF520PBF, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V
Id - непрерывный ток утечки: 9.2 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 270 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
Qg - заряд затвора: 16 nC
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 60 W
Канальный режим: Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2.7 S
Время спада: 20 ns
Время нарастания: 30 ns
Типичное время задержки выключения: 19 ns
Типичное время задержки при включении: 8.8 ns
Рабочая температура: - 55 C ...+ 175 C
Корпус: TO-220AB-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Vishay Semiconductors |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 100 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.