IRF5210PBF, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Тип транзистора: 1 P-Channe
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
Время нарастания (tr): 86 ns
Выходная емкость (Cd): 790 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Корпус: TO-220-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | INFINEON/International Rectifier |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 100 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.