IRF640SPBF, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Канальный режим: Enhancement
Конфигурация: Single
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V
Id - непрерывный ток утечки: 18 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 180 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Qg - заряд затвора: 70 nC
Pd - рассеивание мощности: 130 W
Тип транзистора: 1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 6.7 S
Время спада: 36 ns
Время нарастания: 51 ns
Типичное время задержки выключения: 45 ns
Типичное время задержки при включении: 14 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус TO-263-3(D2PAK)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Vishay-International Rectifier (VISH/IR) |
Корпус: | TO-263-3(D2PAK) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.