IRF830PBF, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:500 V
Id - непрерывный ток утечки:4.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:1.5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток:10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2 V
Qg - заряд затвора:38 nC
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Pd - рассеивание мощности:74 W
Тип транзистора:1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:2.5 S
Время спада:16 ns
Время нарастания:16 ns
Размер фабричной упаковки:50
Типичное время задержки выключения:42 ns
Типичное время задержки при включении:8.2 ns
Корпус: TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Vishay Semiconductors |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 500 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.