IRFB20N50KPBF, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Структура: N-канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток:500 V
Id - непрерывный ток утечки:20 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:250 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток:10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :3 V
Qg - заряд затвора:110 nC
Pd - рассеивание мощности:280 W
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:11 S
Время спада:33 ns
Время нарастания:74 ns
Типичное время задержки выключения:45 ns
Типичное время задержки при включении:22 ns
Рабочая температура:- 55 C...+ 150 C
Корпус: TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Vishay Semiconductors |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 500 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.