IRFBG30PBF, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Конфигурация: Single
Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 1 кВ
Id — непрерывный ток стока: 3,1 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 5 Ом
Vgs - Напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В
Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 4 В
Qg - Заряд затвора: 80 нКл
Pd — рассеиваемая мощность: 125 Вт
Время спада: 29 нс
Время нарастания: 25 нс
Типичное время задержки выключения: 89 нс
Типичное время задержки включения: 12 нс
Рабочая температура: - 55 С...+ 150 С
Корпус TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Vishay Semiconductors |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1000 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.