IRFIB5N65A, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Структура: N-канал
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 48(max) nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 177 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.93 Ohm
Корпус: TO-220-3-FP
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | International Rectifier (IRf) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 650 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.

Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.