IRG4PH50SPBF, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение коллектор-эмиттер VCES 1200 В
Постоянный ток коллектора (Silicon Limited) IC @ TC = 25 ° C 57A
IC @ TC = 100 ° C 33A
Импульсный ток коллектора ICM 114A
Напряжение затвор-эмиттер ± 20 В
Переходное напряжение между затвором и эмиттером ± 30 В
Обратное напряжение лавинной энергии 270 мДж
Максимальное рассеивание мощности PD @ TC = 25 200 Вт
PD @ TC = 100 80 Вт
Hабочая температура: -55 to +150° C
Корпус: TO-247-3 (TO-247AC)
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | INFINEON(INF) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 57 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1200 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.