IRGP50B60PD1, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
IGBT: 600 В, 75 А, одиночный
Схема модуля : одиночный
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.35 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A
Pd - рассеивание мощности: 390 W
Время нарастания нс: 30
Время спада нс: 130
Падение напряжения на встроенном диоде В: 1.3
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Тип корпуса : TO-247-3
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | INFINEON(INF) |
Корпус: | TO-247-3 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.