IXTP80N10T, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V
Id - непрерывный ток утечки: 80 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 14 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V
Рабочая температура: - 55 C.....+ 175 C
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 230 W
Канальный режим: Enhancement
Тип транзистора: 1 N-Channel
Время спада: 48 ns
Время нарастания: 54 ns
Размер фабричной упаковки: 50
Типичное время задержки выключения: 40 ns
Типичное время задержки при включении: 31 ns
Корпус: TO-220-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | IXYS Corporation |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 100 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.