IXTQ50N25T, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 250 V
Id - непрерывный ток утечки: 50 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 60 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 5 V
Qg - заряд затвора: 78 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Канальный режим: Enhancement
Время спада: 25 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 35 S
Pd - рассеивание мощности: 400 W
Время нарастания: 25 ns
Тип транзистора: 1 N-Channel
Корпус:TO247-(TO-3P-3)
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Корпус: | TO-3P |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 250 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.