IXXH50N60C3D1
Код товара: 066136
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор IGBT IXXH50N60C3D1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.3 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 600 W
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
PC TC = 25°C 600 W
Rise Time, nS: 42
Корпус: TO-247AD
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.3 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 600 W
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
PC TC = 25°C 600 W
Rise Time, nS: 42
Корпус: TO-247AD
| Не показывать на сайте: | Да |
| Тип товара: | Транзисторы IGBT |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | IXYS Corporation |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Инструкция
pdf
, 194 КБ
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
