KGF25N120KDA, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 208
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Общий заряд затвора Qg- 160 - nC
Заряд затвор-эмиттер Qge - 25 - nC
Заряд затвора-коллектора Qgc - 80 - nC
Время задержки включения td(on) TC = 25℃ -- 40 - нс
Время нарастания tr TC = 25℃- 25 - нс
Время задержки выключения td(off)TC = 25℃ - 175 - нс
Время спада tf TC = 25℃- 85 - нс
Входная емкость Cies - 2650...3450 пФ
Выходная емкость Coes - 115 - пФ
Емкость обратной передачи Cres - 70 - пФ
Тип корпуса: TO247
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Korea Electronics (KEC) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 50 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1200 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.

Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.