KGT25N120KDA, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора 25С (Ic): 50
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 50
Емкость коллектора (Cc), pf: 100pF
Корпус TO-247-3
Не показывать на сайте: | Да |
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | Korea Electronics (KEC) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 50 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1200 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.