MDP10N055, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 188 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 78 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 1108 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Корпус TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Magna Chip(MAP) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 100 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.