MJB45H11T4G, Транзистор биполярный
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: - 1 V
Максимальный постоянный ток коллектора: - 20 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 40 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Непрерывный коллекторный ток: - 10 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 60 at - 2 A, - 1 V
Pd - рассеивание мощности: 50 W
Корпус: D2PAK-3
Тип товара: | Транзисторы биполярные |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | TO-263-3(D2PAK) |
Максимальный ток коллектора, A: | 20 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 80 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.