NGTB40N120SWG, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
В устройство встроен мягкий и быстродействующий безынерционный диод с низким прямым напряжением.
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 535
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2
Максимальное напряжение эмиттера затвора: - 20 В, + 20 В
Непрерывный ток коллектора при 25°С: 80 А
Непрерывный ток коллектора при 100°С 40 А
Максимальная температура перехода (Tj): 175
Время нарастания: 42
Емкость коллектора (Cc), pf: 230
Ток утечки затвор-эмиттер: 200 нА
КорпусTO-247-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 80 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1200 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.

Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.