NSS1C201MZ4T1G, Транзистор биполярный
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 140 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 180 mV
Максимальный постоянный ток коллектора: 2 A
Pd - рассеивание мощности: 2000 mW
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 100 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 150
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 120
1C201 = Specific Device Code
Корпус: SOT-223-4
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы биполярные |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | SOT-223 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.