RD01MUS2-T113, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность: N
аксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Минимальная частота: 0,52 ГГц
Макс. Частота: 0,52 ГГц
Выходная мощность: 1 Вт
Усиление: 14 дБ
% Тип Эффективность: 65
Напряжение питания: 7,2 В
40В 600мА 12,5Вт 520МГц Tch=150°C
Корпус: SOT89
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Mitsubishi Electric (MIT) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.