SGT40N60NPFDPN, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Маркировка: 40N60NPFD
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 290
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 80
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 180
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 100
Корпус:TO-3P
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Silan Microelectronics |
Корпус: | TO-3P |
Максимальный ток коллектора, A: | 80 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.

Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.