SI2302DS-T1-GE3, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 105 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028(typ) Ohm
Корпус SOT-23-3 (SC-59,TO-236)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | VBsemi Electronics Co. |
Корпус: | SOT-23-3 (SC-59,TO-236) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 20 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.