SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: P-канал
Количество каналов: 2 канала
Конфигурация: Двойной
Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 30 В
Id — непрерывный ток стока: 8 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 29 мОм
Vgs - Напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В
Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 1 В
Qg - Заряд затвора: 32 нКл
Pd - рассеиваемая мощность: 5 Вт
Время спада: 12 нс
Прямая крутизна - Мин.: 23 S
Время нарастания: 8 нс
Типичное время задержки выключения: 45 нс
Типичное время задержки включения: 10 нс
Рабочая температура: - 55 С...+ 150 С
Корпус SOIC-8
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | Vishay-International Rectifier (VISH/IR) |
Корпус: | SOIC-8 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 30 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.