STB20NK50Z, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Маркировка: B20NK50Z
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Pd - рассеивание мощности: 190 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V
Id - непрерывный ток утечки: 17 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 270 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 13 S
Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
Время спада: 15 ns
Типичное время задержки выключения: 27 ns
Типичное время задержки при включении: 28 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус TO-263-3(D2PAK)
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
| Корпус: | TO-263-3(D2PAK) |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 500 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.