STD3NK80ZT4, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Id - непрерывный ток утечки: 2.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 4.5 Ohms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
Qg - заряд затвора: 19 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 70 W
Канальный режим: Enhancement
Время спада: 40 ns
Время нарастания: 27 ns
Типичное время задержки выключения: 36 ns
Типичное время задержки при включении: 17 ns
Корпус: DPAK-3
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | DPAK/TO-252-3 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.