STD5NM50T4, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V
Id - непрерывный ток утечки: 7.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 800 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 5 V
Qg - заряд затвора: 13 nC
Pd - рассеивание мощности: 100 W
Время спада: 6 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 3.5 S
Время нарастания: 8 ns
Типичное время задержки при включении: 16 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус DPAK/TO-252-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | DPAK/TO-252-3 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 500 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.