STD7N65M2, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Код маркировки: 7Н65М2
Технические характеристики:
Тип канала управления: N-канальный
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 Вт
Максимальное напряжение сток-исток |Vds|: 650 В
Максимальное напряжение затвор-исток |Vgs|: 25 В
Максимальное пороговое напряжение затвора |Vgs(th)|: 4 В
Максимальный ток стока |Id|: 5 А
Общий заряд затвора (Qg): 9 нКл
Время нарастания (tr): 20 нс
Емкость сток-исток (Cd): 14,5 пФ
Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1,15 Ом
Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C
Рабочая температура: - 55 C..+ 150 C
Корпус: DPAK/TO-252-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | DPAK/TO-252-3 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 650 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.