STD7NM80, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Id - непрерывный ток утечки: 6.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.05 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 4 V
Qg - заряд затвора: 18 nC
Pd - рассеивание мощности: 90 W
Канальный режим: Enhancement
Конфигурация: Single
Тип транзистора: 1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 4 S
Время спада: 10 ns
Время нарастания: 8 ns
Типичное время задержки выключения: 35 ns
Типичное время задержки при включении: 20 ns
Выходная емкость (Cd): 460 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.05 Ohm
Рабочая температура: - 55 C..+ 150 C
Корпус: DPAK/TO-252-3
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | DPAK/TO-252-3 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 800 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.