STF11NM65N, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор MOSFET STF11NM65N
Маркировка: 11NM65N
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 10.8 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.455 Ohm
Тип корпуса: TO-220-3-FP
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 650 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.