STGW60V60DF, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
RoHS: Подробности
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.35 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A
Pd - рассеивание мощности: 375 W
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Ток утечки затвор-эмиттер: 250 nA
Корпус: TO-247
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-247-3 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.