STL13NM60N, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 10 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 385 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 25 V, + 25 V
Qg - заряд затвора: 27 nC
Pd - рассеивание мощности: 90 W
Канальный режим: Enhancement
Конфигурация: Single
Серия: STL13NM60N
Тип транзистора: 1 N-Channel
Чувствительный к влажности: Yes
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус: PowerFLAT-8x8-5
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | PowerFLAT-8x8-5 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.