STP13NK60Z, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:600 V
Id - непрерывный ток утечки:13 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:550 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток:30 V
Qg - заряд затвора:66 nC
Pd - рассеивание мощности:150 W
Конфигурация:Single
Канальный режим:Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:11 S
Время спада:12 ns
Время нарастания:14 ns
Типичное время задержки выключения:61 ns
Типичное время задержки при включении:22 ns
Рабочая температура:- 55 C ...:+ 150 C
КорпусTO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.