STP13NM60N, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 11 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 360 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 25 V
Конфигурация: Single
Канальный режим: Enhancement
Время спада: 10 ns
Pd - рассеивание мощности: 90 W
Время нарастания: 8 ns
Серия: N-channel MDmesh
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 30 ns
Типичное время задержки при включении: 3 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус: TO-220-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.