STP16NK60Z, Транзистор MOSFET
Код товара: 091178
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор MOSFET STP16NK60Z
Маркировка: P16NK60Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 86 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 285 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.42 Ohm
Корпус TO220AB
Маркировка: P16NK60Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 86 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 285 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.42 Ohm
Корпус TO220AB
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
| Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Инструкция
pdf
, 746 КБ
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
