STP18NM80, Транзистор MOSFET
Код товара: 043895
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор STP18NM80
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Конфигурация: Single
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Id - непрерывный ток утечки: 17 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 295 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Qg - заряд затвора: 70 nC
Pd - рассеивание мощности: 190 W
Время спада: 50 ns
Время нарастания: 28 ns
Типичное время задержки выключения: 96 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Рабочая температура: - 65 C...+ 150 C
Корпус: TO-220-3
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Конфигурация: Single
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Id - непрерывный ток утечки: 17 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 295 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Qg - заряд затвора: 70 nC
Pd - рассеивание мощности: 190 W
Время спада: 50 ns
Время нарастания: 28 ns
Типичное время задержки выключения: 96 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Рабочая температура: - 65 C...+ 150 C
Корпус: TO-220-3
| Не показывать на сайте: | Да |
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
| Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 800 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
