STP19NM50N
Код товара: 094567
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор STP19NM50N
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V
Id - непрерывный ток утечки: 14 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 250 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 25 V
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 110 W
Канальный режим:
Время спада:
Время нарастания:
Типичное время задержки выключения:
Типичное время задержки при включении:
Выходная емкость (Cd):
Корпус TO-220
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V
Id - непрерывный ток утечки: 14 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 250 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 25 V
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 110 W
Канальный режим:
Время спада:
Время нарастания:
Типичное время задержки выключения:
Типичное время задержки при включении:
Выходная емкость (Cd):
Корпус TO-220
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
| Корпус: | TO-220 |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 500 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
