STP3N150, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1.5 kV
Id - непрерывный ток утечки: 2.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 9 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Pd - рассеивание мощности: 140 W
Канальный режим: Enhancement
Коммерческое обозначение: PowerMESH
Конфигурация: Single
Время спада: 61 ns
Время нарастания: 47 ns
Типичное время задержки выключения: 45 ns
Типичное время задержки при включении: 24 ns
Рабочая температура: - 50 C...+ 150 C
Корпус TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1500 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.