STP4NK60Z, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технология: Si
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 4 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3 V
Qg - заряд затвора: 26 nC
Pd - рассеивание мощности: 70 W
Канальный режим: Enhancement
Коммерческое обозначение: SuperMESH
Конфигурация: Single
Тип транзистора: 1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 3 S
Время спада: 16.5 ns
Время нарастания: 9.5 ns
Типичное время задержки выключения: 29 ns
Типичное время задержки при включении: 12 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.