STP5NK100Z, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Режим канала: Enhancement
Конфигурация:Single
Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 1 кВ
Id — непрерывный ток стока: 3,5 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 3,7 Ом
Vgs - Напряжение затвор-исток: - 30 В, + 30 В
Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 3 В
Qg - Заряд затвора: 42 нКл
Pd — рассеиваемая мощность: 125 Вт
Прямая крутизна - Мин.: 4 S
Время спада: 19 ns
Время нарастания: 7,7ns
Типичное время задержки выключения: 51,5 ns
Типичное время задержки включения: 22,5 ns
Рабочая температура: - 55 C....+ 150 C
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1000 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.