STP5NK80Z, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Технические характеристики:
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Id - непрерывный ток утечки: 4.3 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.4 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Qg - заряд затвора: 32.4 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Конфигурация: Single
Канальный режим: Enhancement
Серия: N-channel MDmesh
Тип транзистора: 1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 4.25 S
Время спада: 30 ns
Pd - рассеивание мощности: 110 W
Время нарастания: 25 ns
Типичное время задержки выключения: 45 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Корпус: TO220AB
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 800 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.