STP6NK60Z, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:600 V
Id - непрерывный ток утечки:6 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:1.2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток:30 V
Pd - рассеивание мощности:110 W
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:5 S
Время спада:19 ns
Время нарастания:14 ns
Типичное время задержки выключения:47 ns
Типичное время задержки при включении:14 ns
Рабочая температура:- 55 C...+ 150 C
Корпус TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.