STP7NK80Z, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Id - непрерывный ток утечки: 5.2 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.8 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Qg - заряд затвора: 40 nC
Pd - рассеивание мощности: 125 W
Канальный режим: Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5 S
Время спада: 20 ns
Время нарастания: 12 ns
Типичное время задержки выключения: 45 ns
Типичное время задержки при включении: 20 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус: TO220
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 800 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.