STP80NF55-08, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Конфигурация: Одноместный
Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 55 В
Id — непрерывный ток стока: 80 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 8 мОм
Vgs - Напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В
Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 4 В
Qg - Заряд затвора: 112 нКл
Pd — рассеиваемая мощность: 300 Вт
Время спада: 25 нс
Прямая крутизна - Мин.: 40 S
Время нарастания: 85 нс
Типичное время задержки выключения: 70 нс
Типичное время задержки включения: 25 нс
Рабочая температура: - 55 С...+ 175 С
Корпус: TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 55 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.